• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
IPB011N04L G /
IPB011N04L G的规格信息
IPB011N04L G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

250 W：Pd - 功率消耗

Id - C连续漏极电流：180 A

品牌：InFineon Technologies

安装风格：SMD/SMT

晶体管极性：N-Channel

最低工作温度：- 55 C

最高工作温度：+ 175 C

标准包装数量：1000

标准断开延迟时间：106 ns

Rds On - 漏-源电阻：1.1 m0hms

系列：IPB011N04

通道模式：Enhancement

配置：Single Quint Source

RoHS：符合 RoHS

Vds - 漏-源击穿电压：40 V

Vgs - 闸极-源极击穿电压：20 V

上升时间：13 ns

下降时间：21 ns

公司名称：OptiMOS

封装/外壳：PG-TO263-7

通道数量：1Channel

Vds-漏源极击穿电压：40V

Id-连续漏极电流：180A

Rds On-漏源导通电阻：800uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：1.2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：346nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

Pd-功率耗散：250W

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

晶体管类型：1N-Channel

宽度：9.25mm

正向跨导 - 最小值：180S

典型关闭延迟时间：106ns

典型接通延迟时间：25ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPB011N04L G
IPB011N04L G的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市威雅利发展有限公司IPB011N04L G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB011N04L G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPB011N04L G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPB011N04L G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB011N04L G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPB011N04L G航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IPB011N04L G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPB011N04L G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPB011N04L G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPB011N04L G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB011N04L G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPB011N04L G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB011N04L G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPB011N04L G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB011N04L G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB011N04L G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
18922805453，18929374037，18922803401		连Email:seven@7-ic.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司IPB011N04L G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPB011N04L G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPB011N04L G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPB011N04L G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
IPB011N04L G及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
IPB011N04L GMOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO498.83 Kbytes共9页IPB011N04L G的PDF下载地址无
IPB011N04L G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 200?A 漏源导通电阻：1.4mΩ @ 100A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W (Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO501.61 Kbytes共9页IPB011N04L G的PDF下载地址无
IPB011N04L G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IPB011N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A1+:￥27.35
10+:￥24.49
25+:￥22.02
100+:￥20.03
250+:￥18.13
500+:￥16.231+:￥21.2
10+:￥16.98
100+:￥15.49
250+:￥14.08
500+:￥14.08
1000+:￥13.44
2000+:￥12.93
5000+:￥12.57
10000+:￥12.411+:￥26.1
10+:￥23.37
25+:￥21.0225+:￥31.4
100+:￥28.19
500+:￥23.51
1000+:￥22.
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPB011N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A1+:￥27.35
10+:￥24.49
25+:￥22.02
100+:￥20.03
250+:￥18.13
500+:￥16.23
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPB011N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A1+:￥27.35
10+:￥24.49
25+:￥22.02
100+:￥20.03
250+:￥18.13
500+:￥16.231+:￥21.2
10+:￥16.98
100+:￥15.49
250+:￥14.08
500+:￥14.08
1000+:￥13.44
2000+:￥12.93
5000+:￥12.57
10000+:￥12.411+:￥26.1
10+:￥23.37
25+:￥21.02
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPB011N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 31:¥32.883
10:¥27.9675
100:¥24.2046
250:¥22.9729
1,000:¥17.3681
2,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPB011N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A1+:￥27.35
10+:￥24.49
25+:￥22.02
100+:￥20.03
250+:￥18.13
500+:￥16.231+:￥21.2
10+:￥16.98
100+:￥15.49
250+:￥14.08
500+:￥14.08
1000+:￥13.44
2000+:￥12.93
5000+:￥12.57
10000+:￥12.41
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		IPB011N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A1+:￥27.35
10+:￥24.49
25+:￥22.02
100+:￥20.03
250+:￥18.13
500+:￥16.231+:￥21.2
10+:￥16.98
100+:￥15.49
250+:￥14.08
500+:￥14.08
1000+:￥13.44
2000+:￥12.93
5000+:￥12.57
10000+:￥12.411+:￥26.1
10+:￥23.37
25+:￥21.0225+:￥31.4
100+:￥28.19
500+:￥23.51
1000+:￥22.3901
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPB011N04L GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 200?A 漏源导通电阻：1.4mΩ @ 100A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W (Tc) 类型：N沟道1+:￥31.31
200+:￥12.12
500+:￥11.69
1000+:￥11.48
IPB011N04L G的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号